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常用耐火磚荷重軟化溫度速查表

來源:高溫馬弗爐 | 發布日期:2025-10-05

常用耐火磚(含α-β剛玉磚)在0.2 MPa荷重、按GB/T 5989(示差升溫法)測得的典型荷重軟化溫度(RUL,T0.6%/T4%)速查表,方便設計/選材時參考。

常用耐火磚荷重軟化溫度速查表

磚種 主要相組成 體積密度 g·cm?3 顯氣孔率 % RUL T0.6 % ℃ RUL T4 % ℃ 備注(玻璃窯典型部位)
α-β剛玉磚 ≈99 % Al?O?,α+β-Al?O?互鎖結構 3.85–3.90 ≤3 ≥1700 ≥1750 溜槽、唇磚、閘板磚,抗玻璃液侵蝕最優
剛玉莫來石磚 75 % Al?O?,剛玉+莫來石 2.95–3.05 12–15 1650 1700 池壁上部、小爐口
燒結莫來石磚 65 % Al?O?,莫來石為主 2.55–2.65 16–18 1580 1650 料道、側墻
硅磚 鱗石英+方石英 1.85–1.95 20–22 1640 1670 碹頂、胸墻(酸性氣氛)
硅線石磚 55 % Al?O?,硅線石→莫來石 2.45–2.55 15–17 1550 1620 供料機、拉管機
鎂鉻磚(直接結合) 方鎂石+鎂鉻尖晶石 3.00–3.10 14–16 1600 1650 蓄熱室上層格子體
鎂鐵尖晶石磚 方鎂石+MF尖晶石 3.05–3.15 13–15 1580 1630 過渡帶、冷卻部
鎂碳磚(12 % C) 方鎂石+石墨+抗氧化劑 2.90–3.00 4–6 1550 1600 電爐渣線(非玻璃窯)
鎂磚(97 % MgO) 方鎂石 2.95–3.05 16–18 1560 1620 蓄熱室中層
碳化硅結合氮化硅磚 Si3N4結合SiC 2.65–2.75 15–17 1750(T0.6 %) 1800(T4 %) 水冷柵、噴嘴,抗堿侵蝕
硅莫磚 莫來石+SiC+紅柱石 2.50–2.60 18–20 1520 1600 過渡帶、冷卻部
高嶺土質大磚 45 % Al?O?,莫來石+石英玻璃相 2.20–2.30 20–24 1250 1300 池底大磚,僅作保溫層
耐酸磚 30 % Al?O?,石英玻璃相 2.10–2.20 8–10 1100

使用提示

玻璃窯工作池、流液洞等與玻璃液直接接觸部位,優先選α-β剛玉磚(T4 % ≥1750 ℃),可保證1600 ℃長期荷載下蠕變<0.2 %·a?1。

碹頂高溫區若用硅磚,須保證鱗石英轉化充分,RUL T4 %可達1670 ℃,但忌堿性蒸氣,需配合上層保溫。

鎂質磚雖耐火度>2000 ℃,卻因低熔硅酸鹽結合相,RUL僅1550–1650 ℃,設計時須留≥100 ℃安全裕度。

碳化硅結合氮化硅磚RUL最高,但價格昂貴,僅用于極端侵蝕+高熱通量局部(如Oxy-fuel窯水冷柵)。

耐火磚“荷重軟化溫度”常用檢測標準

標準號 名稱 方法類別 加荷/試樣/升溫 報告溫度點 適用對象 備注
GB/T 5989-2023 《耐火材料 荷重軟化溫度試驗方法(示差升溫法)》 示差法(Differential) 0.20 MPa(致密)或0.05 MPa(隔熱);中心孔圓柱體 Φ50 mm×50 mm,孔Φ12-13 mm;≤500 ℃ 5 K·min?1,>500 ℃ 10 K·min?1 T0.5 %、T1 %、T2 %、T5 %(可增T0.6 %、T4 %) 所有定形致密磚、定形隔熱磚 國家強制采用,仲裁首選;最高可測1700 ℃
YB/T 370-2016 《耐火制品荷重軟化溫度試驗方法(非示差升溫法)》 非示差法(Non-differential) 同GB/T 5989尺寸,加荷0.2 MPa;升溫 4.5-5.5 K·min?1 報告T4 %(習慣稱“0.6 %壓縮值”) 燒成致密磚 冶金系統仍大量引用,與ISO 1893:2007對應;數據不可與示差法直接比對

選用原則

新產品鑒定、政府抽檢、對外質保——必須執行 GB/T 5989-2023;

企業內部工藝對比、快速入庫——可沿用 YB/T 370-2016,但需在報告中注明方法。

耐火磚荷重軟化溫度檢測核心設備與配置

耐火磚荷重軟化溫度試驗爐( STR RUL 1700 ℃ 級)

類型:硅鉬棒或 MoSi2 發熱體立式管爐;有效均溫區 ≥ 100 mm,溫差 ≤ ±5 ℃(1700 ℃)。

額定功率:8-12 kW;升溫速率 PID 可控 2-15 K·min?1。

加載/測壓單元

杠桿-砝碼式(傳統):杠桿比 25:1,配 0.2 級砝碼;總荷載 1960 N(對應 0.2 MPa)。

電動伺服式(新建試驗室推薦):伺服電機+滾珠絲杠,閉環控制,荷載精度 ±1 N,可編程分段卸荷,滿足 GB/T 5989 ±2 % 要求。

變形/位移測量

示差法:雙剛玉管+LVDT(或光柵)位移傳感器,分辨率 ≤ 1 μm,全程溫度補償。

非示差法:單側 LVDT 直接測壓棒下移,系統誤差 ≤ 0.05 mm。

熱電偶與測溫

示差法:S 型(Pt-10 %Rh/Pt)或 B 型(30 %Rh/6 %Rh)熱電偶,絲徑 0.5 mm;符合 GB/T 16839.1-2018 Ⅰ 級精度。

安裝:熱電偶必須插入試樣中心孔底部,與試樣內壁貼緊,記錄“試樣真實溫度”。

試樣制備輔具

金剛石空心取芯鉆(Φ50 mm)、雙面磨床(平行度 ≤ 0.02 mm)、游標卡尺(0.02 mm 分度)。

軟件與數據鏈

自動采集:溫度-位移曲線實時繪制,可輸出 C?(試樣變形)、C?(剛玉管膨脹校正)兩條曲線,自動給出 T0.5 %、T2 %、T5 %。

報告格式:含原始數據、校正曲線、不確定度評估(按 JJF 1059.1-2022)。

三、試驗關鍵控制點(GB/T 5989-2023 新增)

升溫速率:≤500 ℃ 階段 5 K·min-1,>500 ℃ 可提至 10 K·min-1;任何 10 min 內波動 ≤ 0.5 K·min-1。

荷載誤差:全程 ±2 %;試驗前須用標準測力儀校準。

試樣尺寸:高 50 mm 任意兩點差 ≤ 0.2 mm;中心孔偏心 ≤ 0.5 mm。

熱電偶校準:每 50 爐或 6 個月(先到為準)用貴金屬熱電偶檢定爐比對一次,誤差 ≤ ±1.5 ℃(1500 ℃ 點)。

結果復現:同一磚型、不同日期兩次 T4 % 差值 ≤ 12 ℃,否則補做第三方仲裁。


常見誤差來源與解決

剛玉管彎曲 → 每 10 爐用標準棒復檢,彎曲>0.02 mm 即報廢。

熱電偶污染 → 1500 ℃ 以上每爐結束在氬氣中快冷,減少晶粒長大。

砝碼銹蝕 → 杠桿式設備須用無磁不銹鋼砝碼,定期超聲清洗。

試樣孔偏心 → 采用 V 型夾具+數控鉆床,保證孔位同心度 ≤ 0.3 mm。



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