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鋯石英坩堝(Zircon-Quartz Composite Crucible)制備工藝與檢測方法

來源:高溫馬弗爐 | 發布日期:2025-09-04

鋯石英坩堝(Zircon-Quartz Composite Crucible)制備工藝與檢測方法

一、產品定義與結構

鋯石英坩堝=高純熔融石英質外層+高致密鋯英石(ZrSiO?)質內層(或內涂層),用于光伏及半導體單晶拉制。內層利用鋯英石高熔點、高化學穩定性及低SiO?活度,顯著抑制熔硅對坩堝的侵蝕,提高拉晶壽命與硅棒純度。

二、全過程制備工藝

A. 原料選用與預處理

  1. 外層料(熔融石英層,wt%)
    • 熔融石英砂 99.5(20-40目40%;40-80目35%;80-200目25%)
    • 高嶺土結合劑 0.3(<2μm)
    • 聚乙烯醇(PVA)0.2(造粒用)
  2. 內層料(鋯英石層,wt%)
    • 鋯英石粉 85-90(d50=3-5μm;ZrO?≥65%,Fe?O?≤0.08%)
    • 電熔剛玉細粉 5-8(<10μm,提高高溫強度)
    • 蘇州土 3-5(塑性)
    • 硅溶膠(30%)4-6(常溫結合;干燥后形成SiO?微網)
    • 分散劑(聚丙烯酸銨)0.15-0.20
    • 去離子水 外加18-22(注漿或噴涂用)
  3. 預處理
    • 鋯英石粉800℃煅燒2h→驟冷→酸洗(4mol/L HCl+0.5mol/L HF,60℃×2h)→磁選(1.8T)→水洗至中性→干燥;雜質去除率≥90%。

B. 成型(雙層一次性復合成型)

  1. 石膏模具或樹脂模具預先噴涂SiC脫模層0.5mm。
  2. 注漿復合
    • 先注入鋯英石漿(內層),石膏吸漿至設計厚度4-6mm;
    • 立即倒出余漿,隨即注入熔融石英濕泥(外層),吸漿至總壁厚10-12mm;
    • 整個注漿過程模具微振(50Hz,0.3g)排除氣泡。
  3. 脫模后24h內修坯、倒角,并在外壁預制3條排氣線槽(寬×深=1mm×0.5mm)。

C. 干燥

  • 40℃×12h→60℃×12h→100℃×8h;
  • 控制相對濕度<40%,干燥收縮率:鋯層≈0.8%,石英層≈0.3%,差異通過界面鋸齒槽抵消,層間不開裂。

D. 燒成

  • 裝缽:每個坩堝扣裝于Al?O?匣缽,埋粉(鋯英石+剛玉)防變形。
  • 隧道窯升溫曲線:
    • 20-150℃ 1℃/min 360min
    • 150-540℃ 5℃/min 30min
    • 540-850℃ 1℃/min 30min(結合劑排除段)
    • 850-1320℃ 4℃/min 120min(最高溫度)
    • 自然降溫至200℃出爐。
  • 燒成指標:鋯層體積密度≥4.05g·cm?3,石英層≥2.00g·cm?3;層間剪切強度≥12MPa。

三、性能要求與檢測方法

A. 化學性能

項目 指標 方法/設備
ZrO?(內層) ≥64wt% XRF(GB/T 21114)
SiO?(外層) ≥99.5wt% XRF
Fe?O?+TiO? ≤0.15wt% ICP-OES
Na?+K? ≤50ppm 原子吸收

B. 力學性能

項目 指標 方法/設備
常溫耐壓強度 ≥120MPa(鋯層) 萬能試驗機(GB/T 5072)
常溫抗折強度 ≥25MPa(鋯層) 三點彎曲(GB/T 3001)
層間剪切強度 ≥12MPa 自制雙槽剪切夾具,5mm/min
顯氣孔率 ≤5%(鋯層) 真空法(GB/T 2997)

C. 熱學性能

項目 指標 方法/設備
耐火度 ≥1750℃(鋯層) 三角錐法(GB/T 7322)
荷重軟化T?.? ≥1650℃ 荷軟儀(YB/T 370)
線膨脹系數 4.2-4.5×10??K?1(20-1000℃) 推桿膨脹儀(GB/T 7320)
熱震穩定性(1100℃?水冷) ≥50次無貫穿裂紋 自動熱震試驗機(GB/T 17617)
高溫蠕變(1300℃,0.2MPa,25h) ≤0.3% 高溫蠕變儀

D. 專用檢測設備清單

  1. X射線熒光光譜儀(XRF)—化學成分
  2. ICP-OES/MS —痕量雜質
  3. 萬能試驗機(100kN)—常溫力學
  4. 高溫抗折試驗機(最高1600℃)—高溫強度
  5. 推桿式熱膨脹儀—線膨脹
  6. 自動熱震循環爐(1100℃水冷)—熱震壽命
  7. 高溫蠕變&荷軟一體機—長期變形
  8. 激光導熱儀(LFA)—熱擴散系數/導熱率
  9. 掃描電鏡+EDS—層間顯微結構及元素遷移
  10. 超聲探傷儀(20MHz)—內層連續性、氣泡缺陷

四、關鍵控制點

  1. 鋯英石漿穩定pH=9-10,ζ電位≥+35mV,防止顆粒團聚。
  2. 燒成>1300℃時鋯英石分解生成ZrO?+SiO?,需快冷至1180℃以下抑制二次反應;埋粉隔絕SiO?揮發。
  3. 層間界面做環向鋸齒(深0.3mm,距1mm)+硅溶膠過渡,保證咬合與熱膨脹匹配。
  4. 出廠前100%超聲C-Scan,內層氣泡單點直徑≤0.5mm,累計面積≤0.2%。

五、結語

采用“高純鋯英石漿-石英泥雙層一次性復合注漿-低溫梯度干燥-1320℃埋粉燒成”路線,可制備內層致密、外層高純、層間結合可靠的鋯石英復合坩堝;配合化學、力學、熱學全套檢測及超聲無損篩查,滿足半導體與光伏單晶爐對長壽命、低污染坩堝的需求。

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