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小型CVD管式爐:實(shí)驗(yàn)室用小型CVD高溫管式爐

來源:高溫馬弗爐 | 發(fā)布日期:2024-06-09
小型CVD管式爐是一種用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的設(shè)備,它可以在真空或受控氣體環(huán)境下對材料進(jìn)行熱處理,用于制備薄膜、納米線等材料。

小型CVD管式爐爐管兩端不銹鋼法蘭密封,可在真空下工作,法蘭上有進(jìn)氣口和出氣口,可通入保護(hù)氣體,精密針型閥可調(diào)節(jié)進(jìn)氣流量。

爐型可選擇普通管式爐、滑動管式爐、旋轉(zhuǎn)管式爐、立式管式爐。

化學(xué)氣相沉積(CVD)是指化學(xué)氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應(yīng)合成涂層或納米材料的方法,是半導(dǎo)體工業(yè)中廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù),包括大范圍的絕緣材料,大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。

應(yīng)用領(lǐng)域:

小型CVD管式爐是一種多功能的材料制備設(shè)備,可以用于制備多種類型的材料,特別是二維材料。在使用時(shí),需要根據(jù)具體的材料和實(shí)驗(yàn)要求,選擇合適的反應(yīng)條件和工藝參數(shù),以獲得高質(zhì)量的材料樣品。

主要技術(shù)參數(shù):

電爐名稱:1200℃-CVD管式爐

爐管尺寸:φ25--φ120mm

溫區(qū)長度:300mm

設(shè)計(jì)溫度:1200℃

爐型結(jié)構(gòu):普通管式爐、滑動管式爐、旋轉(zhuǎn)管式爐、立式管式爐。

氣體控制:2路浮子混氣室、3路浮子混氣室、5路浮子混氣室;2路質(zhì)子混氣室、3質(zhì)子混氣室、5路質(zhì)子混氣室;

電源電壓:AC220V/50Hz

控溫精度:±1℃


電爐特點(diǎn)

1、一體式結(jié)構(gòu),立式設(shè)計(jì),雙色搭配,美觀、大方

2、殼體為高強(qiáng)度雙層鈑金,并輔以風(fēng)冷強(qiáng)制對流,有效的降低了爐體表面溫度,增強(qiáng)了安全性。

3、殼體采用高精度激光切割和數(shù)控折彎工藝成型,尺寸精準(zhǔn)爐整體結(jié)構(gòu)緊湊,占地面積小。

4、整體配色大方美觀,靜電噴塑工藝環(huán)保防腐,雙色搭配,可支持自由定制噴涂顏色。

6、爐膛材料選用高純氧化鋁陶瓷纖維材料,新型拼裝結(jié)構(gòu),高溫不變形、堅(jiān)固耐用

2、加熱元件采用高溫合金絲,可承受負(fù)荷大,穩(wěn)定且使用壽命長

3、爐管采用石英管,兩端不銹鋼法蘭設(shè)計(jì)簡單、合理、易拆卸,方便進(jìn)出被燒結(jié)樣品

4、升溫速度快,升溫速率可達(dá)25℃/min,建議20℃/min。

5、采用智能PID控制,控溫精度高,沖溫小,具有溫度補(bǔ)償和溫度校正功能,精度為±1℃

6、控溫儀表具有程序功能,可設(shè)定升溫曲線,可編程序30段

7、一體式結(jié)構(gòu),出色的外觀設(shè)計(jì),美觀、大方

8、電子元器件均采用知名電爐,配有漏電保護(hù)功能

9、本機(jī)對工作過程中的超溫會發(fā)出報(bào)警信號,并自動完成保護(hù)動作

10、當(dāng)儀表程序設(shè)定完成后,只要按下運(yùn)行按鈕,接下來的工作會自動完成

11、可選配大屏幕觸摸屏無紙記錄儀,實(shí)現(xiàn)對升溫曲線的實(shí)時(shí)記錄,并配有存儲卡可對實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析和打印

12、可選配氣體質(zhì)量流量計(jì),通入氣體可數(shù)字精確控制

主要技術(shù)參數(shù):

電爐規(guī)格

STR-CTF25-12

STR-CTF40-12

STR-CTF60-12

STR-CTF80-12

STR-CTF100-12

STR-CTF120-12

爐管尺寸

Φ25x800mm

Φ40x800mm

Φ60 x800mm

Φ80x800mm

Φ100x800mm

Φ120x800mm

設(shè)計(jì)溫度

1200℃

工作溫度

1100℃

溫區(qū)長度尺寸

300mm

電源電壓

220V/1.8KW

220V/1.8KW

220V/2.6KW

220V/2.6KW

220V/2.6KW

220V/5KW

加熱元件

高溫合金電阻絲

爐膛材料

濕法真空抽濾成型制備的多晶無機(jī)氧化鋁陶瓷纖維材料

爐管材料

石英管

控溫精度

±1℃

測溫元件

N型熱電偶

溫控儀表

智能智能溫控儀表+PID控制,SCR/SSR控制,PID參數(shù)自整定功能;

可編程序30個(gè)時(shí)段,程序升溫、程序保溫、程序降溫

升溫速度

1-25℃/min自由調(diào)節(jié)

爐體結(jié)構(gòu)

爐膛溫控一體式結(jié)構(gòu),爐膛開合式;雙層爐體外殼,空氣循環(huán)隔熱

密封性能

爐管兩端裝有不銹鋼金屬法蘭,配套高溫PTFE墊圈,可在真空下進(jìn)行工作, 密封真空度≤0.0001pa

氣氛性能

法蘭兩端有進(jìn)氣口和出氣口,壓力表裝在金屬法蘭上,精密針型閥可調(diào)節(jié)進(jìn)氣和出氣量,

可通入氮?dú)狻鍤狻錃獾缺Wo(hù)氣體

真空獲得

配套獨(dú)立的真空獲得系統(tǒng),系統(tǒng)內(nèi)配有1臺雙旋片式真空泵和數(shù)字真空計(jì),包括不銹鋼波紋管和擋板閥等組件,

真空度≤0.098Mpa,還可以選擇分子泵機(jī)組

氣路系統(tǒng)

配套獨(dú)立的氣路系統(tǒng),系統(tǒng)有三路浮子流量計(jì)組成的混氣室,可單進(jìn)單出也可三路氣體混氣后進(jìn)入管式爐系統(tǒng),

浮子流量計(jì)量程:60-600ml/min;

也可選質(zhì)量流量計(jì)系統(tǒng):

控制精度±1.5%FS,重復(fù)精度±0.2%FS,

量程:一路0-100SCCM,二路0-200SCCM,三路0-500SCCM

設(shè)備保護(hù)

模塊化控制,對工作過程中的超溫、斷偶會發(fā)出聲光報(bào)警信號,并自動完成保護(hù)動作

人員保護(hù)

在設(shè)備上裝有空開斷路器,如發(fā)生短路漏電情況時(shí)會自動彈開,能保護(hù)設(shè)備和操作人員

爐體外殼

加厚冷軋鋼板數(shù)控機(jī)床下料加工,經(jīng)過焊接、打磨、拋光、磷化、酸洗、表面靜電噴涂塑粉

質(zhì)量認(rèn)證

ISO9001 CE SGS TUV

標(biāo)準(zhǔn)配置

1、爐體1臺 2、溫度控制器1臺 3、電源線3米 4、熱電偶一支 5、說明書一份(內(nèi)含合格證、保修卡)

6、爐鉤一把 7、高溫手套一雙 8、管堵二個(gè) 9、密封法蘭一套

1200℃滑動式真空管式爐CVD


1200℃滑動式真空管式爐爐體小巧,升溫速度極快,它不僅可以抽真空,也可以通氣體保護(hù)。其結(jié)構(gòu)使得拆裝爐管方便,操作簡捷,使用者可直接將密封腔體移出爐體,加快降溫過程,透明石英管腔體可直觀的看到樣品燒結(jié)狀態(tài)。爐管工件橫穿與進(jìn)口電阻絲的爐膛,溫場均勻,內(nèi)外溫差可控制在正負(fù)3度,滑軌爐設(shè)計(jì)可是樣品快速升溫或降溫。預(yù)熱的裝置可以很好控制固態(tài)源的蒸發(fā),可用于二維材料的制備等,是一款性價(jià)比極高的快速升降溫爐。

電爐名稱

1200度開啟式真空管式滑軌爐

爐管尺寸

Φ60×1200mm?更多其他規(guī)格石英管可選(Φ40/80mm等)

主要參數(shù)

設(shè)計(jì)溫度: 1200℃(使用時(shí)必須通入惰性氣體以防止?fàn)t管發(fā)生形變)

工作溫度:?≤1100℃

推薦升溫速率:≤20℃/min

加熱區(qū)長度:230mm

額定功率:2KW

電壓:單相AC 208 - 240V, 50Hz

爐體結(jié)構(gòu)

雙層空氣冷卻鋼殼保持爐表面溫度低于60°C

高純狀氧化鋁纖維絕緣層,zui大限度節(jié)約能源

爐膛和加熱元件上的特殊耐火涂層可延長爐子的使用壽命

溫控系統(tǒng)

模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)功能

智能化30段可編程控制

具有超溫及斷偶報(bào)警功能

控溫精度:?±1?℃

K型熱電偶

可安裝PC控制軟件對數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)采集(需另購)

溫控儀表(可選)

標(biāo)配儀表為宇電,可指定其他品牌溫控儀表,如島電等。

管堵

多種規(guī)格管堵,防止來自內(nèi)部管子的熱輻射,管堵在加熱前必須完全放入爐腔。

石英管堵滿足潔凈實(shí)驗(yàn)環(huán)境或者較高真空需求

密封系統(tǒng)

爐管兩端配有不銹鋼密封法蘭。(包括精密針閥、指針式真空壓力表、軟管接頭)

如需獲得較高的真空度,建議采用不銹鋼波紋管連接及數(shù)顯真空計(jì)(需另外訂購)

備注:

本公司標(biāo)配法規(guī)格如下進(jìn)氣端Φ6卡套接口,可連接Φ6不銹管或者聚四氟管。

出氣端預(yù)留KF25接口,方便連接真空泵,KF16接口,方便連接數(shù)顯真空計(jì),以及Φ9氣嘴接頭,以便出氣

擴(kuò)展端口

如進(jìn)氣管道為橡膠軟管,則需將進(jìn)氣口更換成Φ9氣嘴接頭

真空度

雙極旋片機(jī)械泵:10^-1Pa

分子泵機(jī)組:10^-3 Pa

可選配本公司配套高低真空

多路氣體配比器:2路混氣室

設(shè)備名稱

2路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)

設(shè)備型號

GS-2Z

電壓

220VAC??單相??50/60Hz

針閥材質(zhì)

316不銹鋼

量程

100sccm、200sccm(可根據(jù)工藝要求提供多種量程選擇)

工作溫度

5~45℃

外型尺寸

600(L)?x?600(W)?x?750(H)?mm

電壓

AC220V/50Hz單相

功率

23W



應(yīng)用注意事項(xiàng)

爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa

由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高,所以向爐管內(nèi)通入氣體時(shí),氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時(shí)會更加精確安全

當(dāng)爐體溫度高于1000℃時(shí),爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng),保持在常壓狀態(tài)

進(jìn)入爐管的氣體流量需小于200SCCM,以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊

石英管的長時(shí)間使用溫度<1100℃

對于樣品加熱的實(shí)驗(yàn),不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱,則需時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數(shù),若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa,必須立刻打開泄氣閥,以防意外發(fā)生(如爐 管破裂,法蘭飛出等)






小型CVD管式爐通常用于哪些材料的制備?

小型CVD管式爐是一種常用于材料科學(xué)研究和工業(yè)生產(chǎn)的設(shè)備,它能夠在高溫、高壓、高真空等苛刻條件下進(jìn)行各種材料的制備、燒結(jié)、還原等實(shí)驗(yàn)。根據(jù)搜索結(jié)果,小型CVD管式爐通常用于以下幾類材料的制備:

石墨烯:石墨烯是一種由單層碳原子以蜂窩狀排列構(gòu)成的二維材料,具有優(yōu)異的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能和力學(xué)強(qiáng)度。CVD管式爐是制備石墨烯的常用設(shè)備之一,通過在高溫和高真空環(huán)境下,使用氫氣作為還原性氣體,通入到爐內(nèi),生成石墨烯。

碳納米管:碳納米管是一種由碳原子組成的管狀納米材料,具有優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)性能。CVD管式爐可以用于制備碳納米管,通過控制反應(yīng)條件,可以調(diào)控碳納米管的直徑、長度和結(jié)構(gòu)。

二硫化鉬:二硫化鉬是一種過渡金屬硫化物,具有良好的半導(dǎo)體性能和催化性能。CVD管式爐可以用于制備二硫化鉬薄膜,通過改變反應(yīng)條件,可以調(diào)控薄膜的厚度和結(jié)構(gòu)。

其他二維材料:除了上述材料外,CVD管式爐還可以用于制備其他二維材料,如磷烯、硼烯等。這些材料都具有獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),被廣泛應(yīng)用于光電器件、傳感器、催化劑等領(lǐng)域。




如何根據(jù)需要選擇合適的小型CVD管式爐?

選擇合適的小型CVD管式爐需要考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵因素:

應(yīng)用需求:首先確定需要進(jìn)行的CVD應(yīng)用,例如生長薄膜、合成納米材料、制備涂層等。不同的應(yīng)用可能需要不同類型的CVD爐,如低壓CVD、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)等。

材料類型:根據(jù)所需材料的特性和性質(zhì),選擇適合的CVD爐。例如,有機(jī)材料可能需要低溫CVD,而無機(jī)材料可能需要高溫CVD。

工作溫度范圍:確定您的CVD工藝所需的工作溫度范圍。不同的爐子有不同的最高和最低溫度限制,因此,選擇能夠滿足您工藝要求的爐子是非常重要的。

爐管材質(zhì):爐管的材質(zhì)對于CVD過程的影響很大。常見的爐管材質(zhì)有石英、剛玉和金屬等。石英爐管適用于高溫和腐蝕性環(huán)境,而金屬爐管則適用于需要更高真空度的環(huán)境。

反應(yīng)氣體:確定需要使用的反應(yīng)氣體種類和純度要求。一些CVD爐可以處理多種氣體,而另一些可能只適用于特定類型的氣體。

真空系統(tǒng):對于許多CVD工藝來說,真空環(huán)境是必不可少的。因此,選擇一個(gè)合適的真空系統(tǒng)是非常重要的。需要考慮的因素包括真空泵的類型、抽速和真空度等。

爐腔尺寸:根據(jù)處理樣品的尺寸和數(shù)量,選擇合適的爐腔尺寸和容積。確保爐腔足夠大,以容納需要處理的樣品,并保持樣品的均勻沉積。

加熱方式: CVD爐可以采用不同的加熱方式,如電阻加熱、感應(yīng)加熱等。根據(jù)處理材料的特性和加熱均勻性要求,選擇合適的加熱方式。

氣體控制系統(tǒng):CVD過程需要精確控制氣體的流量和比例。因此,選擇一個(gè)可靠的氣體控制系統(tǒng)是非常重要的。需要考慮的因素包括氣體流量計(jì)的精度、氣體的混合方式以及氣體的供應(yīng)方式等。

能源消耗: 考慮CVD爐的能源消耗情況,選擇能效高、節(jié)能環(huán)保的設(shè)備,可以降低生產(chǎn)成本并符合環(huán)保要求。

設(shè)備尺寸和占地面積:需要根據(jù)您的實(shí)驗(yàn)室或工廠的空間大小和布局來選擇合適的設(shè)備尺寸和占地面積。

品牌和服務(wù): 選擇知名度高、信譽(yù)良好的廠家和品牌,確保產(chǎn)品質(zhì)量和售后服務(wù)的可靠性。


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