小型管式CVD氣相沉積爐：爐體可滑動
小型CVD氣相沉積爐的簡介
小型管式CVD氣相沉積爐也叫cvd管式爐,由開啟式單(雙)溫區管式爐、高真空分子泵系統、壓強控制儀及多通道高精度數字質量流量控制系統組成。可實現高真空狀態下、混合氣體化學氣相沉積和擴散試驗。
CVD管式爐主要用于高校、科研院所、工礦企業做高溫氣氛燒結、氣氛還原、CVD/CVI實驗，特別適用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備、納米線生長、電池材料干燥燒結等場所。
CVD管式爐是在高溫條件下通過一定的化學反應將物質轉化成固態薄膜的一種重要設備。它廣泛應用于材料科學研究、能源、電子、國防等領域。
CVD管式爐能夠在高溫下提供穩定的加熱環境，促進化學反應，合成高質量的固態薄膜。
PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。
CVD氣相沉積爐特點
1.薄膜沉積速率高：射頻輝光技術，大大的提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達10?/S;
2. 大面積均勻性高：采用了先進的多點射頻饋入技術，特殊氣路分布和加熱技術等，使得薄膜均勻性指標達到8%;
3. 一致性高：用半導體行業的先進設計理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%;
4. 工藝穩定性高：高度穩定的設備保證了工藝的連續和穩定；
5.智能CVD設備是目前最新型的一款設備，將所有的控制部分集為一體，此款設備是博納熱獲得專利的設備。高溫真空加熱爐溫度控制系統采用經典的閉環負反饋控制系統。電氣元件采用優質的進口產品，做到高性能、免維護，提高了設備質量的可靠性。
6.適用范圍寬:金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復合薄膜，連續生長各種薄膜等。增加功能容易，可擴展等離子清洗刻蝕等功能。
技術參數
|
產品名稱 |
CVD化學氣相沉積系統 |
|
產品電爐型號 |
STR-CVD/PECVD |
|
滑道 |
帶滑道，可滑動爐膛，實現快速升溫或冷卻功能 |
|
加熱區長度 |
400mm??單溫區/雙溫區 |
|
爐管尺寸 |
直徑60x1200mm 外徑x長 |
|
爐管材質 |
高純石英管 |
|
工作溫度 |
≤1100℃ |
|
溫控系統 |
人工智能PID儀表，自動控制溫度 |
|
溫控精度 |
±1℃ (具有超溫及斷偶報警功能) |
|
加熱速率 |
建議 0~10℃/min |
|
加熱元件 |
高品質電阻絲 |
cvd設備真空系統
|
cvd設備 |
額定電壓 |
|
額定電壓 |
單相 220V 50Hz |
|
可通氣體 |
氮氣、氬氣等惰性氣體 |
|
測溫元件 |
熱電偶測溫 |
|
殼體結構 |
雙層殼體結構帶風冷系統 |
|
真空法蘭 |
帶有進氣口，另一端帶控壓閥，氣動泄壓閥和放氣閥。 |
|
供氣系統 |
四路精密質子流量計，通過觸屏來調節氣體流量 |
|
真空系統 |
旋片泵，真空度在空爐冷態可達1pa， 真空計：進口數顯真空計實時顯示真空度，精度高。 |
|
氣體定量系統 |
整體可以控制壓力范圍-20kpa到20kpa(相對壓力) |
|
額定電壓 |
單相 220V 50Hz |
推薦內容
NEWS
