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產(chǎn)品詳情

STR-TF100-1200III小型CVD系統(tǒng)有三溫區(qū)高溫管式爐、混氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)組成。

儀器名稱：三溫區(qū)高溫管式爐

儀器型號(hào)：STR-TF100-1200III

儀主要應(yīng)用：廣泛應(yīng)用于新能源材料，金屬材料，磁性材料，半導(dǎo)體材料，陶瓷材料，電化學(xué)，薄膜材料，CVD，MOCVD，PECVD，UPECVD，JPECVD，石墨烯的合成。

性能指標(biāo)：

1. 真空管式爐：額定功率：5 kW

額定電壓：AC220~240 V 50 Hz

最高溫度：1200 ℃

額定溫度：1100 ℃

爐管尺寸：Φ100×14000 mm(可選)

加熱區(qū)長(zhǎng)度：300+300+300 mm（3點(diǎn)控溫）

升溫速率：≤20 ℃/min

外型尺寸（長(zhǎng)×寬×高）：1030×430×580 mm

重量：80 kg

2. 供氣系統(tǒng)GMF-3Z（質(zhì)子流量計(jì)）：

外形尺寸：600×600×650 mm

連接頭類型：雙卡套不銹鋼接頭。

標(biāo)準(zhǔn)量程（N2)：100、200、500 sccm；（可根據(jù)用戶要求定制）

準(zhǔn)確度：±1.5% F.S.

線性：±0.5～1.5% F.S.

重復(fù)精度：±0.2% F.S.

響應(yīng)時(shí)間：氣特性：1～3 s，電特性：10 s

工作壓差范圍：0.1～0.5 MPa

最大壓力：3 MPa

接口：Φ6,1/3''

顯示：4位數(shù)字顯示

工作環(huán)境溫度：5~45高純氣體

內(nèi)外雙拋不銹鋼管：Φ6

壓力真空表：－0.1～0.15 MPa，0.01 MPa/格

截止閥：Φ6

3. 低真空機(jī)組VAU-02型號(hào)：VRD-8

抽速：8 m3/h

極限真空度：5×10-1Pa

電源：220 V 50 Hz

電機(jī)功率：0.4 kW

進(jìn)排氣連接口：KF25

用油量：0.6~1 L

電機(jī)轉(zhuǎn)速：1440 rpm

工作環(huán)境溫度：5~40 ℃

樣品要求：固體材料

注意事項(xiàng)：

1. 使用前請(qǐng)先放入絕熱塞子，絕熱塞子的位置可根據(jù)實(shí)際情況向外拉出，但兩邊塞子位置一定要對(duì)稱。

2. 降溫時(shí)請(qǐng)利用程序降溫，不建議直接按“stop”鍵降溫，設(shè)備溫度在500℃以上時(shí)不要直接關(guān)閉設(shè)備電源。

3.高溫爐爐管不建議正壓使用，如果要使用正壓壓強(qiáng)絕不允許超過(guò)0.02 Mpa。

儀器說(shuō)明：

這款配置的低真空CVD系統(tǒng)集1200℃開啟式真空管式爐，多通道氣路系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成，有三個(gè)溫區(qū)，可預(yù)抽真空（有高真空、低真空），通多種氣氛（供氣系統(tǒng)有質(zhì)子流量器和浮子流量控制器）。真空泵可選用進(jìn)口設(shè)備，性能可靠。控制電路選用模糊PID程控技術(shù)，具有控溫精度高，溫沖幅度小，性能可靠，簡(jiǎn)單易操作等特點(diǎn)。CVD生長(zhǎng)系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。可通氣氛抽真空，其開啟式結(jié)構(gòu)使得拆裝爐管方便，操作簡(jiǎn)捷，使用者可直接將密封腔體移出爐體，加快降溫過(guò)程。爐管工件橫穿與8組進(jìn)口電阻絲的爐膛，溫場(chǎng)均勻，內(nèi)外溫差可控制在3℃左右，氣動(dòng)彈簧支撐結(jié)構(gòu)讓操作者可各角度安全開啟。

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